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晶圓 研磨製程

「晶圓 研磨製程」文章包含有:「CMP是什麼意思?製程深入介紹,清楚瞭解技術與原理!」、「TAIKO製程」、「再生晶圓是什麼?晶圓研磨廢水怎麼處理?一篇了解研磨製程」、「化學機械研磨廢水相關處理技術」、「化學研磨(CMP)」、「晶圓加工工程」、「晶圓研磨拋光均勻度不佳?」、「濕式拋光(如CMP等等)」

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CMP是什麼意思?製程深入介紹,清楚瞭解技術與原理!
CMP是什麼意思?製程深入介紹,清楚瞭解技術與原理!

https://www.otsuka-tw.com

所謂的「CMP」,意為「化學機械研磨,Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑(Slurry),將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體 ...

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TAIKO製程
TAIKO製程

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“TAIKO製程”的優點 ; 減少晶片翹曲; 提高晶片強度 ; 晶片薄型化後需要高溫工序(鍍金屬等)時,沒有脫氣現象發生; 因為是一體構造,形狀單一,可降低顆粒帶入現象 ; 使用硬基體 ...

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再生晶圓是什麼?晶圓研磨廢水怎麼處理?一篇了解研磨製程
再生晶圓是什麼?晶圓研磨廢水怎麼處理?一篇了解研磨製程

https://www.gve.com.tw

再生晶圓是在半導體製造過程中「再利用的晶圓」,能夠降低成本並減少浪費。但是,在再生晶圓研磨的過程中,會產生大量含有矽粒子和化學物質的廢水, ...

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化學機械研磨廢水相關處理技術
化學機械研磨廢水相關處理技術

https://proj.ftis.org.tw

雖然CMP. 製程是現代半導體業晶圓製造重要的技術,但是CMP製程在無塵室. 中是一個高污染的製程,因為過程中使用了研磨液(Slurry)。一般. 而言,此研磨液主要包含有5~10 ...

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化學研磨(CMP)
化學研磨(CMP)

https://www.horiba.com

CMP 後清洗需要去除具有不同表面、化學和機械特性、各種幾何特徵的晶圓上的顆粒、有機殘留物和金屬污染物,而不會產生划痕、水痕、表面粗糙度、腐蝕和介電常數變化。

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晶圓加工工程
晶圓加工工程

https://www.fstech.com.tw

1. 切斷(Slicing). 使用外周研削將單結晶晶棒的外徑研削成均一化,再來根據客戶的要求抵抗率,將晶棒分斷及線切割加工成厚度約1mm的晶圓。 · 2. 粗研磨. 將晶圓正反兩面平行 ...

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晶圓研磨拋光均勻度不佳?
晶圓研磨拋光均勻度不佳?

https://www.goodtechnology.com

晶圓研磨(Back Grinding)主要是將晶圓通過背面打磨使厚度控制在能接受的範圍內,拋光目的在於改善前製程所留下的微缺陷,提高晶圓平坦度,讓微粒不易附著。在研磨的過程 ...

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濕式拋光(如CMP等等)
濕式拋光(如CMP等等)

https://www.disco.co.jp

矽晶圓元件隨著IC封裝短小化,薄型化,內置晶粒也需要跟著薄化,因此為了提高強度,晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外,用於高輝度LED藍寶石基板(Al2O3),高速 ...